图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:474 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 440µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 35nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1200pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube;;其他的名称； |
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| RDS -于 | 250@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 40 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 440µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1200pF @ 100V |
| 其他名称 | SP000358141 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :12A |
| Drain Source Voltage Vds | :650V |
| On Resistance Rds(on) | :250mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :104W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-262 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| Current Id Max | :12A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vds Typ | :650V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
IPI60R250CP也可以通过以下分类找到
IPI60R250CP相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家